幸田プレステージレクチャーズ　－ものづくり日本講演会－

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記事ID：0000311 更新日：2023年9月25日更新

幸田プレステージレクチャーズとは・・・

　世界を震撼させる技術を開発されたトップ技術者や世界経済に大きな影響を与えておられるトップ経営者を幸田町にお招きし、自らのご経験をもとに、革新的技術、日本や世界の経済情勢、企業の経営哲学、将来の夢などをお話しいただくことで、近隣地域を含め、住民の皆さまや企業従事者の皆さまに広い視野をもって地域や日本の将来を考えていただく機会として開催する講演会です。

ものづくり日本講演会の画像

次回開催予定の講演について

とき：令和６年５月１６日（木曜日）

ところ：幸田町民会館

※詳細は決まり次第お知らせします。

過去に開催の講演会

シリコンカーバイド(SiC)研究開発の歴史とこれから

とき：令和５年１０月３日（火曜日）午後３時３０分～午後５時（開場：午後３時）

ところ：幸田町民会館つばきホール

内容：講演「シリコンカーバイド(SiC)研究開発の歴史とこれから」

対象：どなたでも受講できます。

定員：400人＊定員になり次第、締め切らせていただきます。

講師：京都大学名誉教授　京都先端科学大学特任教授　松波　弘之　様（まつなみ　ひろゆき）氏

受講料：無料

研磨材や耐火煉瓦用材料として知られていたSiC（炭化ケイ素）の高品質単結晶を世界で初めて実現し、これを用いて世界初の高性能ダイオードとトランジスタを作製しました。先生が長年研究されてこられたこのSiCについてお話しいただきます。

米国電気電子学会（IEEE）エジソンメダルを受賞

エジソンメダルは発明家トーマス・エジソンの名にちなんで創設され、電気電子工学において賞賛に値する業績をあげた研究者に贈られる、ノーベル賞に比類する名誉ある賞です。松波弘之特任教授の「SiC半導体材料の開発とそのパワーデバイスへの応用における先駆的貢献」に対して授与され、日本人としては4人目の受賞者となりました。